LANGER EMV-Technik XF1近場探頭組包含4個無源磁場探頭和1無源電場探頭，所有探頭的頻率范圍為30MHz到6GHz，用于在研發(fā)階段測量磁場和電場。由于在探頭內(nèi)部配置了阻抗匹配器，該探頭組與其他探頭（如RF型探頭）相比，在低頻區(qū)較不敏感。 使用XF 1系列的探頭，可以逐步辨識電子模塊中的干擾磁場源。例如，首先用XF-R 400-1型探頭檢測電子模塊總體發(fā)射出的干擾場，然后再用高分辨率探頭更準確地識別干擾源。電場探頭用于檢測電子模塊表面的干擾電場。 通過相應地操作近場探頭，能夠測量出電磁場的方向及其分布。這種近場探頭小巧輕便，并采用外皮電流衰減。磁場探頭采用電屏蔽設計。這種近場探頭可以接到頻譜分析儀或示波器的50Ω輸入端。這些近場探頭的內(nèi)部安裝有終端電阻

LANGER EMV-Technik XF1近場探頭組產(chǎn)品內(nèi)容：

1xXF-B 3-1, 磁場探頭（30MHz-6Hz）

1xXF-E 10, 電場探頭（30MHz-6GHz）

1xXF-R 3-1, 磁場探頭（30MHz-6GHz）

1xXF-R 400-1, 磁場探頭（30MHz-6Hz）

1xXF-U 2.5-1, 磁場探頭（30MHz-6GHz）

1xSMA-SMA 1 m, SMA-SMA 測量電纜

1xCase 5

LANGER EMV-Technik XF1近場探頭組產(chǎn)品簡介

XF-B 3-1磁場探頭（30MHz-6Hz）

XF-B 3-1型磁場探頭的測量線圈相對垂直于探頭柄。當探頭豎直放置到電路板上時，其測量線圈直接平放在電路板的表面上。由此就能夠測量到印刷電路板表面上很難達到的一些位置，如開關調節(jié)器的大元件之間的位置。

XF-E 10電場探頭（30MHz-6GHz）

XF-E 10型電場探頭底面的電極僅有約0.2mm寬，用于定位小的電場，例如0.1mm寬的導線、高針數(shù)集成電路的單個引腳等發(fā)射的電場。測試時將該電場探頭放置在受測物體上。

XF-R 3-1磁場探頭（30MHz-6GHz）

XF-R 3-1型近場探頭： 用于高分辨率直接檢測組件上，譬如IC的引腳或外殼、布線、旁路電容器和電磁兼容性（EMC）元件等區(qū)域的射頻磁場。

XF-R 400-1磁場探頭（30MHz-6Hz）

XF-R 400-1磁場探頭 因較大的直徑（25mm）而擁有很高的靈敏度，允許在10cm以內(nèi)的距離測量模塊和設備。

XF-U 2.5-1磁場探頭（30MHz-6GHz）

XF-U 2.5-1型磁場探頭是一個近場探頭，用于選擇性測量導線、SMD組件和IC引腳中的高頻電流。這個探頭有一個大約0.5mm寬的磁場敏感缺口，測量時將這個缺口放在布線、IC或者電容器的連接點上。